Číslo produktu výrobce:
TSM120N06LCP ROG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM120N06LCP ROG-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventář:
55476 Ks Nový Originál Skladem
12899924
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM120N06LCP ROG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2118 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252 (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
TSM120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TSM120N06LCP ROGTR
TSM120N06LCP ROGCT-DG
TSM120N06LCP ROGTR-DG
TSM120N06LCPROGTR
TSM120N06LCP ROGCT
TSM120N06LCPROGDKR
TSM120N06LCP ROGDKR-DG
TSM120N06LCPROGCT
TSM120N06LCP ROGDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM680P06CH X0G
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
DMT6016LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
TSM500P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
